
Высокоскоростная дискретизация: Плата сбора данных собственной разработки, скорость 250 Мвыб/с.
Ключевая архитектура: Чип Xilinx Zynq SOC, архитектура FPGA+ARM, ОС Linux.
Высокоскоростная дискретизация: Плата сбора данных собственной разработки, скорость 250 Мвыб/с.
Ключевая архитектура: Чип Xilinx Zynq SOC, архитектура FPGA+ARM, ОС Linux.
Автономная работа: Перезаряжаемый литиевый аккумулятор, время непрерывной работы ≥ 6 часов.
Дисплей: 3.5-дюймовый полноцветный ЖК-экран.
Датчики: Встроенные ультразвуковой и TEV датчики; поддержка внешних удаленных ультразвуковых, TEV, HFCT и UHF датчиков.
Анализ ЧР: Отображение амплитуды, тренда, PRPD-диаграммы и статистики количества импульсов.
Световая сигнализация: Трехцветная индикация степени серьезности разрядов.
Память и передача данных: Встроенная карта памяти 4 ГБ, поддержка экспорта данных через USB.
Портативность: Малые габариты и вес, удобен для обходного контроля.
| Параметр | Техническая характеристика | Параметр | Техническая характеристика | ||
| Период дискретизации | 2c | Конструктивные особенности | Материал корпуса | Пластик, закрытого типа | |
| Габариты | 190×80×36 мм | ||||
| Датчик TEV | Динамический диапазон | 0-60 дБмкВ | Вес | <0.6кг | |
| Частотный диапазон | 3-100МГц | ЭМС
(Электромагнитная совместимость) |
Устойчивость к электростатическому разряду | GB/T17626.2-2006 Уровень 4 | |
| Ультразвуковой датчик | Динамический диапазон | -6-80дБмкВ | Устойчивость к затухающим колебательным помехам | GB/T17626.10-1998 Уровень 3 | |
| Частотный диапазон | 30-60кГц | ||||
| Рабочее питание | Постоянный ток | 8.4В, литиевая батарея | Устойчивость к магнитному полю промышленной частоты | GB/T17626.8-2006 Уровень 3 | |
| Потребляемая мощность | < 10 Вт | Устойчивость к импульсному магнитному полю | GB/T17626.9-1998 Уровень 3 | ||
| Прочность изоляции | 2000 В перем. тока (СКЗ), 50 Гц, 1 мин | Безопасность | Соответствует общим требованиям GB/T 19862-2005 для мониторингового оборудования распределительных устройств | ||
| Рабочая среда | Рабочая температура | -20℃~+60℃ | |||
| Температура хранения | -40℃~+85℃ | Наработка на отказ (MTBF) | 500,000 часов | ||